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 | 反応場制御による新しい材料プロセッシング 協奏増幅を利用した材料創製 |
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 | - 材料プロセッシングを「反応場制御」という新しい視点から切る。
- 強磁場、電磁場、プラズマ、超音波、歪み反応場について最新の研究成果を解説。
- 「協奏増幅」材料プロセス科学の成果発信。
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 | ものの見方・切り口を変えることによって、常に科学技術の進歩は導かれてきた。文部科学省・科学技術振興調整費総合研究課題「協奏反応場の増幅制御を利用した新材料創製に関する研究」(研究リーダー:北澤宏一・前東京大学教授(現科学技術振興機構・専務理事)は、平成10年度から14度を研究機関として活動を行った。「協奏増幅プロセッシング」は、新たな材料を合成するために材料合成プロセスを新たな視点から切ってみようとするものである。この「協奏増幅」という切り口から現象をとらえ、磁界、電界、超音波、応力などのエネルギーを「反応場」に作用させ、その応答を増幅的に変化させて材料プロセスの制御を行った。現在、情報化社会・地球環境・高齢化社会といった諸々のベースとなる材料研究に期待れるものは大きなものがある。この中で「協奏増幅」研究の成果が、今後の新材料創製に重要な役割を果たすことに期待が寄せられている。
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 | 第1章 協奏増幅という切り口 |
 | 1. 1 協奏増幅プロセッシング 1. 2 協奏増幅の具体化 |
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 | 第2章 プラズマプロセッシング |
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2. 1 反応性熱プラズマプロセスによるセラミックス材料の創製 2. 1. 1 はじめに 2. 1. 2 熱プラズマの高エネルギーを利用した加熱と冷却・凝縮による材料の変化 1)準安定相の生成 2)混合粉末のIn-flightプラズマ反応スプレーによるMo5Si3-B複合コーティング 3)プラズマによる粒子表面修飾の効果 4)プラズマの加熱・急冷を利用した超微粒子の合成 2. 1. 3 化学的側面を利用した熱プラズマプロセッシング 1)プラズマと融液の化学的相互作用によるナノ構造形成 2)プラズマと固体の化学的相互作用によるナノ構造形成 3)急冷・凝縮過程の化学反応による非平衡相の生成 2. 1. 4 パルス変調RFプラズマ法を利用した反応場制御 1)新しいプラズマ発生法−パルス変調RFプラズマ法−の開発 2)パルス変調RFプラズマ法による酸化亜鉛への水素ドーピングと高効率UV発光 2. 1. 5 おわりに 2. 2 炭素粉末の熱プラズマ処理とその応用 2. 2. 1 はじめに 2. 2. 2 球状フェノール樹脂 1)熱プラズマ処理粉末のモルフォロジ 2)熱プラズマ処理粉末の構造 3)熱プラズマ処理粉末の電気化学特性評価 2. 2. 3 グラッシーカーボンの熱プラズマ処理と電気化学特性 1)熱プラズマ処理粉末のモルフォロジ 2)熱プラズマ処理粉末の構造 3)熱プラズマ処理粉末の電気化学特性評価 2. 2. 4 球状黒鉛(MCMB)の熱プラズマ処理と電気化学特性 1)熱プラズマ処理粉末のモルフォロジ 2)熱プラズマ処理粉末の構造 3)熱プラズマ処理粉末の電気化学測定 2. 3 パルス変調RFプラズマの解析 2. 3. 1 はじめに 2. 3. 2 パルス変調誘導熱プラズマの動作パラメータ 2. 3. 3 パルス変調誘導熱プラズマ装置 2. 3. 4 実験条件 2. 3. 5 各種ガス混入パルス変調誘導熱プラズマの動作特性実験結果 1)コイル電流 2)パルス変調誘導熱プラズマの安定維持範囲 3)パルス変調誘導熱プラズマの過渡応答特性 4)プロセス用熱源としての応用 2. 3. 6 結論 |
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 | 第3章 ソノケミカルプロセッシング |
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3. 1 ソノケミカル反応場の解析 3. 1. 1 はじめに 3. 1. 2 コンピュータシミュレーションによる理論解析 1)気泡発光のメカニズム 2)単泡性ソノルミネッセンスの発光機構 3)多泡性ソノルミネッセンスの発光機構 4)超音波の強さと気泡内温度 5)気泡内での酸化剤(OHラジカル)生成 6)気泡の分類 3. 1. 3 単一気泡反応場の観察と解析 1)はじめに 2)ストロボを用いた気泡の観察 3)光散乱法による気泡系の測定 4)まとめ 3. 1. 4 多数気泡反応場の観察と解析 1)はじめに 2)光散乱実験 3)ソノケミカル反応との比較 4)まとめ 3. 2 ソノケミカルプロセスによる複合ナノ微粒子の創製 3. 2. 1 はじめに 3. 2. 2 超音波反応場 1)高温反応場でのラジカル生成 2)キャビティー内の温度の見積もり 3)キャビティー界面への化合物の濃縮 3. 2. 3 超音波反応場での微粒子の調製 1)単元貴金属微粒子の調製 2)酸化物微粒子の調製 3)2元金属微粒子の調製 4)炭素固溶型Pdナノ粒子の調製 5)貴金属ナノ粒子担持材料の調製 3. 2. 4 結論 3. 3 ソノケミカルプロセスによるセラミック粉体合成 3. 3. 1 緒言 3. 3. 2 ソノケミカル反応装置について 3. 3. 3 磁性微粒子のソノケミカルプロセス 1)磁性微粒子のwet-chemical processについて 2)進行波型ソノケミカル反応場によるマグネタイト微粒子の合成 3)定在波型ソノケミカル反応場によるマグネタイト微粒子の合成 3. 3. 4 単分散球状シリカ粒子のソノケミカル重合 1)実験条件 2)結果および考察 3. 3. 5 ベンゼン誘導体のソノケミカル重合による炭素質ナノ粒子の合成 1)まえがき 2)実験条件 3)結果と考察 3. 3. 6 シュウ酸エタノール沈殿法出発溶液に対するソフトソニケーション効果 1)まえがき 2)出発溶液に対するソフトソニケーション効果の検証 3)エイジングにおける水添加効果 3. 3. 7 結言−ソノケミカルセラミックプロセスについて |
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 | 第4章 応力場利用プロセシング |
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4. 1 メカノケミカルプロセスによる触媒調製 4. 1. 1 はじめに 4. 1. 2 実験装置および方法 1)原料粉体 2)粉砕実験装置および方法 3)微粒子の特性評価 4)触媒活性評価 4. 1. 3 実験結果および考察 1)微粒子化に及ぼす粉砕場の影響 2)メカノケミカル処理硫化モリブデンの触媒活性 4. 1. 4 おわりに 4. 2 界面制御プロセシング 4. 2. 1 LSIゲート酸化膜形成における歪み効果 1)歪場の均一性 2)一軸性均一応力下での酸化 3)二軸性均一応力下での酸化 4. 2. 2 高効率半導体レーザー用量子ドット形成における歪み効果 4. 2. 3 高記録密度磁気デバイス用磁性結晶成長における歪み効果 4. 2. 4 酸化物単結晶上の半導体結晶成長技術 1)磁性酸化物基板上の半導体成長 2)SrTiO3基板上の半導体成長 4. 2. 5 歪み印加による物性制御と電子状態解析 |
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 | 第5章 電場利用プロセシング |
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5. 1 エレクトロケミカルプロセッシング 5. 1. 1 エレクトロケミカルプロセッシングにおける協奏増幅と固体電解質系 1)電気化学系:典型的な協奏増幅場の形成と電気化学ポテンシャル 2)電気化学ポテンシャルの一般化から導かれるさまざまな協奏反応場 3)固体電解質系におけるガス電極反応:ミクロ反応場を設計、計測 4)エレクトロケミカル法から展開する未知の場へのアプローチ 5. 1. 2 反応場の化学ポテンシャル・化学ポテンシャルプローブ顕微鏡へのアプローチ 1)固体電解質の電極反応過程 2)非平衡化学ポテンシャル場生成の触媒活性 3)非平衡化学ポテンシャルの測定 4)非平衡化学ポテンシャル測定の例 5)非平衡化学ポテンシャルのミクロ分布の測定 5. 1. 3 協奏反応場の特異化学ポテンシャル 1)非平衡な電気化学反応場 2)非平衡ガス中における特異酸素ポテンシャル発現機構 3)界面の特異化学ポテンシャル場のバルク物性への影響 5. 1. 4 酸化物イオン導電体が放出する酸素負イオンビーム 1)高電圧下でのイオン導電体からのイオン放出と応用 2)酸化物イオン導電体からの酸素負イオン放出 3)酸素負イオン放出と表面吸着種 4)電気化学反応場のキャラクタリゼーションとしてのイオン放出 5. 2 電気泳動法によるセラミックス高次構造体の形成 5. 2. 1 はじめに 5. 2. 2 コロイドプロセスと電気泳動法 5. 2. 3 溶媒中における粒子の振る舞い 1)粒子の帯電 2)電気二重層 3)粒子間の相互作用 4)電気泳動 5. 2. 4 電気泳動法の動力学と粒子堆積のメカニズム 1)電気泳動現象からみた電気泳動法の動力学 2)粒子堆積のメカニズム 5. 2. 5 電気泳動プロセスと水系溶媒 1)パラジウム電極を用いた水系電気泳動プロセス 2)水系プロセスにおける粒子堆積挙動とサスペンション特性 5. 2. 6 電気泳動法によるセラミックス積層体の作成 5. 2. 7 おわりに 5. 3 電気粘性(ER)流体 5. 3. 1 ER流体とは 5. 3. 2 微粒子/シリコーンオイル分散系のER効果と誘電的性質の関係 1)ER効果と誘電率および電気伝導度 2)ER効果と誘電率の同時測定 3)微粒子回転と分極(ER効果) 5. 3. 3 微粒子/液晶分散系のER効果 5. 3. 4 おわりに |
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 | 第6章 強磁場プロセシング |
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6. 1 強磁場の物理化学影響 6. 1. 1 磁気力 6. 1. 2 モーゼ効果 6. 1. 3 磁気アルキメデス効果 6. 1. 4 磁気アルキメデス効果による弱磁性粒子の分離 6. 1. 5 物理化学的過程への影響 6. 1. 6 弱磁性粒子に誘起される磁気モーメント間の相互作用 6. 1. 7 おわりに 6. 2 強磁場印加による結晶方位制御 6. 2. 1 磁場印加による結晶配向の理論と評価方法 1)磁場印加による結晶配向の理論 2) 結晶配向の評価方法 6. 2. 2 磁場印加による材料プロセッシング 1)蒸着 2)電析 3)凝固 4)炭素繊維の作製 5)ハイドロキシアパタイトのスリップキャスティング 6)ハイドロキシアパタイトの析出 6. 2. 3 結論 6. 3 強磁場印加コロイドプロセスによるセラミックスの配向制御 6. 3. 1 はじめに 6. 3. 2 コロイドプロセス 6. 3. 3 強磁場印加コロイドプロセス 6. 3. 4 磁場中スリップキャストによる配向セラミックスの創製 6. 3. 5 まとめ |  | | 索引 |
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